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      1. 12-INCH WAFER RECLAIM SERVICE
        12英寸晶圓再生服務(wù)

        晶圓再生業(yè)務(wù)

        再生晶圓是晶圓廠各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的重要材料,可用于監(jiān)控制程參數(shù)與生產(chǎn)環(huán)境等,同時(shí)可以減少成本消耗,是提高產(chǎn)品良率、降低成本的關(guān)鍵要素。因此,隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)能不斷擴(kuò)增,再生晶圓的需求也跟著增加。

        晶圓再生就是將生產(chǎn)過(guò)程中用過(guò)的擋控片回收,經(jīng)過(guò)一系列精密的加工工藝,將擋控片表面的膜層、金屬元素、顆粒殘留等去掉,使他們能夠重新具備測(cè)試和維持機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性功能的過(guò)程。

        擋/控片是晶圓廠生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重要輔助部件,可用于監(jiān)控制程參數(shù)與生產(chǎn)環(huán)境等,同時(shí)可以減少成本消耗,是提高產(chǎn)品良率、降低成本的關(guān)鍵要素。因此,隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)能不斷擴(kuò)增,再生晶圓的需求也跟著增加。

        擋片介紹

        擋片的作用是維持機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性。在機(jī)臺(tái)(如PVD、CVD、氧化擴(kuò)散等)里,如果該批次的片子不滿,用擋片把空余的位置填充起來(lái),維持氣流穩(wěn)定性和均勻性,從而使氣流中的反應(yīng)氣體與被加工硅片均勻接觸、均勻受熱,發(fā)生化學(xué)物理反應(yīng),沉淀或生長(zhǎng)均勻的高質(zhì)量薄膜。

        控片介紹

        控片的作用是監(jiān)控生產(chǎn)機(jī)臺(tái)和工藝的穩(wěn)定性與可靠性。產(chǎn)品投產(chǎn)之前,需要用控片來(lái)試加工一下,檢驗(yàn)機(jī)臺(tái)是否正常;產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中,需要在正片中混雜一些控片,工藝完成后,可以用控片來(lái)判斷該批次作業(yè)是否正常。

        晶圓再生工藝介紹

        再生廠對(duì)要進(jìn)行再生的已使用晶圓進(jìn)行整理歸類,包括表面篩查、晶圓種類的區(qū)分以及幾何參數(shù)的設(shè)置。

        芯片制造商使用過(guò)的測(cè)試片因制程的不同而使其表面受到不同程度的污染,需要通過(guò)歸類來(lái)決定接下來(lái)需要清洗的步驟。

        測(cè)試片是否需要經(jīng)過(guò)剝離程序取決于其表面的狀況。整個(gè)程序在自動(dòng)成批化學(xué)品浸濕槽中進(jìn)行,包括過(guò)氧化氫混合物、氫氟酸蝕刻和堿性蝕刻等清洗,工藝體現(xiàn)在氧化劑配方及浸泡時(shí)間的控制。

        經(jīng)過(guò)化學(xué)氧化劑將晶圓表面侵蝕,時(shí)間過(guò)快可能導(dǎo)致剝離不干凈,過(guò)慢可能導(dǎo)致侵蝕過(guò)度而影響回收次數(shù),另外還需確保不受化學(xué)氧化劑的交叉污染。

        絕緣層較厚的測(cè)試晶圓可能需要研磨并去除其他薄膜層和邊緣圓整。研磨工藝和化學(xué)機(jī)械加工類似,但去除速度快,均勻性也較差。完成研磨后,將執(zhí)行更有統(tǒng)一性和最終拋光的步驟。

        研磨后的晶圓需要進(jìn)行拋光,拋光可以是單面和雙面的,通常是通過(guò)化學(xué)試劑和機(jī)械共同進(jìn)行,同樣拋光過(guò)程要避免化學(xué)試劑的交叉污染以及注意拋光程度的掌握。拋光最后可能留下殘余顆粒和金屬污染物。

        最終的清理過(guò)程在浸沒(méi)槽中完成,包括使用氧化物對(duì)拋光程序殘留下的顆粒進(jìn)行清除。最后再通過(guò)表面張力烘干機(jī)對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行干燥。整個(gè)再生過(guò)程涉及多種化學(xué)試劑,如果不能完全掌握整個(gè)工藝制程,則可能出現(xiàn)機(jī)臺(tái)間的交叉污染,導(dǎo)致巨大經(jīng)濟(jì)損失。

        最后檢查階段,晶圓再生廠將進(jìn)行過(guò)再生的測(cè)試片通過(guò)厚度和缺陷檢測(cè)來(lái)進(jìn)行分類,再運(yùn)回芯片制造廠使用。

        可再生指標(biāo)介紹

        厚薄度
        晶圓再生的過(guò)程就是對(duì)測(cè)試片的表面進(jìn)行處理,將蝕刻上去的電路圖、金屬等附著物進(jìn)行去除的化學(xué)、物理過(guò)程。
        彎曲度
        芯片制造的過(guò)程可能造成測(cè)試片彎曲,當(dāng)回收的晶圓彎曲度(Bow、Warp)達(dá)到一定的數(shù)值時(shí)將導(dǎo)致晶圓無(wú)法被再生。
        完整度
        測(cè)試片在使用的過(guò)程中可能造成邊緣缺失或毀壞,如果無(wú)法通過(guò)邊緣圓整等方式進(jìn)行修復(fù),則無(wú)法繼續(xù)被再生。
        Total Thickness Variation
        TTV指的是測(cè)試品再生后的平坦程度,即晶圓最厚與最薄處的差值。晶圓再生的規(guī)格不同,對(duì)TTV的要求也不同。
        Metal Contamination
        硅片不僅要把殘留顆粒洗到最少,同時(shí)還需要減少金屬離子的數(shù)量。
        Thickness Removal Rate
        TRR指同一批晶圓平均去除厚度,越小越好,但是也根據(jù)客戶的需求以及測(cè)試片的狀況來(lái)定,通常這一指標(biāo)也是芯片制造商用來(lái)評(píng)價(jià)晶圓再生廠服務(wù)能力的重要指標(biāo)之一。
        Particle Size
        該指標(biāo)是指晶圓再生表面允許殘留的臟污顆粒的大小,需要跟隨芯片制造廠的進(jìn)程改進(jìn)。
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